انطباق چگالی جریان اتصال کوتاه در سلول خورشیدی دو پیوندی GaInP/GaAs

دوفصلنامه فیزیک اتمی و مولکولی

مقاله 7، دوره 6، شماره 22، خرداد 1394، صفحه 45-50

نوع مقاله: پژوهشی

چکیده

انطباق چگالی جریان اتصال کوتاه در لایه‌های مختلف سلول‌های خورشیدی چند پیوندی تاثیر قابل ملاحظه‌ای در مقدار بهره دارد. در این مقاله، با بهره­گیری از نمودارهای تجربی ضریب جذب مربوط به نیمه‌رساناهای GaInP و GaAs ، به محاسبه چگالی جریان اتصال کوتاه در لایه‌های سلول دو پیوندی GaInP/GaAs در One-Sun G 5/1AM و به ازای ضخامت‌های مختلف لایه‌ها پرداخته‌ایم. سپس، شرایط لازم برای وقوع انطباق جریان را مشخص کرده‌ایم.

کلیدواژه‌ها

سلول خورشیدی دو پیوندی GaInP/GaAs؛ ضریب جذب؛ چگالی جریان اتصال کوتاه؛ انطباق چگالی جریان