یک تقویت کننده‌ی امپدانس انتقالیCMOS کم مصرف برای کاربردهای مخابرات نوری2.5Gb/s

روش‌های هوشمند در صنعت برق

مقاله 4، دوره 4، شماره 13، فروردین 1392، صفحه 29-34   

نوع مقاله: مقاله پژوهشی

نویسندگان

مژگان محسنی¹؛ مهدی دولتشاهی^{* 2}

¹کارشناس ارشد/دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد

²استادیار/دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد

چکیده

در این مقاله یک تقویت کننده‌ی امپدانس انتقالی جهت گیرنده‌های نوری ارائه می‌شود. این تقویت کننده بر اساس توپولوژی فیدبک مقاومتی- خازنی به صورت موازی می‌باشد که از نظر توان مصرفی بهینه شده است و از تکنیک shunt peaking (بالازدگی موازی) نیز برای افزایش پهنای باند فرکانسی استفاده شده است. این مدار در تکنولوژی 0.18 µm CMOS طراحی و شبیه سازی شده است. نتایج شبیه سازی بهره‌ی 67.5 dBΩ، پهنای باند 3GHz و توان مصرفی 12.16 mW را نشان می‌دهد که نشان دهنده عملکرد مناسب تقویت کننده‌ی پیشنهادی برای کاربردهای 2.5Gb/s جهت استفاده در استاندارد SONET OC-48)) می‌باشد. دیاگرام چشمی به دست آمده برای نرخ داده‌ی 2.5 Gb/s کیفیت سیگنال قابل قبولی رابرای جریان‌های ورودی تا 10 µA نشان می‌دهد.

کلیدواژه‌ها

تقویت کننده‌ی امپدانس انتقالی؛ CMOS؛ مخابرات نوری

مراجع