پیوندهای مفید
اخبار و اعلانات
آمار
| تعداد نشریات | 418 |
| تعداد شماره‌ها | 9,997 |
| تعداد مقالات | 83,560 |
| تعداد مشاهده مقاله | 77,801,286 |
| تعداد دریافت فایل اصل مقاله | 54,843,919 |
رابطه جدید محاسبه مقاومت بدنه درترانزیستورهای MOSFET PD SOI در مقیاس نانومتر | ||
| روش‌های هوشمند در صنعت برق | ||
| مقاله 3، دوره 1، شماره 4، اسفند 1389، صفحه 17-24 اصل مقاله (530.69 K) | ||
| نوع مقاله: مقاله پژوهشی | ||
| نویسندگان | ||
| آرش دقیقی* 1؛ اعظم عسکری‌خشویی2 | ||
| 1استادیار /دانشگاه شهرکرد | ||
| 2کارشناسی ارشد /مرکز آموزش عالی علمی کاربردی تیران و کرون | ||
| چکیده | ||
| در این مقاله یک مدل جدید غیرخطی برای بهبود محاسبه مقاومت بدنه ترانزیستورهای PD SOI در مقیاس 45 نانومتر ارائه می‌گردد. این مدل بر پایه شبیه‌سازی‌های سه بعدی سیگنال کوچک ارزیابی می‌شود. در این مقاله فاکتورهای مشخص‌کننده مقاومت بدنه در ترانزیستورهای نانومتر، با استفاده از قابلیت شبیه‌سازی سه بعدی نرم‌افزار ISE-TCAD نشان داده می‌شود و سپس با استفاده از مدل پتانسیل سطح، رابطه‌ای ریاضی برای محاسبه مقاومت بدنه بر حسب متغییرهای پتانسیل بدنه و عرض افزاره، بیان می‌گردد. در نهایت نتایج شبیه‌سازی سه بعدی نرم‌افزاری و رابطه ریاضی به دست آمده با آخرین نتایج به دست آمده مورد مقایسه قرار می‌گیرد. مقایسه نتایج، بهبود رابطه ریاضی ارائه شده را نشان می‌دهد. | ||
| کلیدواژه‌ها | ||
| PSP SOI؛ PD SOI؛ مقاومت بدنه؛ پتانسیل بدنه؛ نانومتر | ||
| مراجع | ||
|
| ||
|
آمار تعداد مشاهده مقاله: 6,978 تعداد دریافت فایل اصل مقاله: 2,079 |
||