| تعداد نشریات | 418 |
| تعداد شمارهها | 10,013 |
| تعداد مقالات | 83,708 |
| تعداد مشاهده مقاله | 79,603,987 |
| تعداد دریافت فایل اصل مقاله | 56,288,006 |
مطالعات نظریه تابعی دانسیته رزورسینول و فنول | ||
| کاربرد شیمی در محیط زیست | ||
| مقاله 5، دوره 9، شماره 33، اردیبهشت 1397، صفحه 37-41 اصل مقاله (590.58 K) | ||
| نوع مقاله: مقاله پژوهشی | ||
| چکیده | ||
| در این تحقیق، گاف انرژی HOMO-LUMO، پارامترهای ساختاری، انرزی مینیمم، مقدار بار الکتریکی اتمها و ممان دوقطبی رزورسینول و فنول در فاز گازی محاسبه شده است. محاسبات با استفاده از نظریه تابعی دانسیته با روش B3LYP و با مجموعه پایه G++(d,p) 311-6 بر روی ترکیبات انجام شده است. مطابق محاسبات انجام شده ممان دوقطبی رزورسینول و فنول به ترتیب 3826/1 و 3844/1 دبای و مقدار گاف انرژی رزورسینول و فنول به ترتیب 2125/0 و 21392/0 هارتری بهدست آمده است. محاسبات مربوط به بار الکتریکی اتمها نشان میدهد در هر دو ترکیب همه اتمهای هیدروژن بار الکتریکی مثبت دارند و بیشترین بار منفی به طور عمده در اتم O قرار دارد. | ||
| کلیدواژهها | ||
| گاف انرژی HOMO–LUMO؛ رزورسینول؛ فنول؛ DFT | ||
| مراجع | ||
|
| ||
|
آمار تعداد مشاهده مقاله: 79 تعداد دریافت فایل اصل مقاله: 147 |
||