| تعداد نشریات | 418 |
| تعداد شمارهها | 10,013 |
| تعداد مقالات | 83,708 |
| تعداد مشاهده مقاله | 79,561,028 |
| تعداد دریافت فایل اصل مقاله | 56,268,793 |
مطالعهی محاسباتی جذب مولکولهای HCN، CO و ClCN در نانو لولهی SiC دارای ناخالصی B به روش DFT | ||
| کاربرد شیمی در محیط زیست | ||
| مقاله 4، دوره 8، شماره 30، تیر 1396، صفحه 21-25 اصل مقاله (542.01 K) | ||
| نوع مقاله: مقاله پژوهشی | ||
| چکیده | ||
| در این تحقیق با بهرهگیری از نظریه تابع چگالی (DFT)، روش B3LYP و سری پایه G* 6-31 اثر جذب مولکولهای CO, ClCN, HCN را روی نانولولههای تک دیواره آرمچیر (4 و 4) SiC دوپه شده با اتم B مورد بررسی قرار گرفته است. با توجه به روند تغییرات در فاصله بین اوربیتالهای HOMO و LUMO مدلهای مورد مطالعه میتوان نتیجه گرفت که بیشترین رسانایی الکتریکی در مدل B dope C ClCN-Attached و کمترین رسانایی در مدل خالص دیده میشود. نتایج جدول جذب سطحی نشان میدهد که بیشترین میزان جذب سطحی در مدل B dope Si ClCN-Attached و کمترین میزان جذب سطحی در مدل B dope Si HCN-Attached دیده میشود. با توجه به نتایج این پژوهش میتوان نتیجه گرفت که مطلوبترین گزینه مورد مطالعه مولکول ClCN میباشد. | ||
| کلیدواژهها | ||
| نانولوله SiC؛ روش تابعی چگالی؛ جذب سطحی | ||
| مراجع | ||
|
| ||
|
آمار تعداد مشاهده مقاله: 112 تعداد دریافت فایل اصل مقاله: 102 |
||