عملکرد خطینگی بهبود یافته با تغییرات ولتاژ حالت مشترک کم برای مبدل آنالوگ به دیجیتال تقریب متوالی غیردودویی با روش سوییچ‌زنی یکنوا

مهندسی مخابرات جنوب

دوره 10، شماره 39، فروردین 1400، صفحه 23-36   

نوع مقاله: مقاله پژوهشی

نویسندگان

نسرین شایسته نژاد؛ عبدالرسول قاسمی^*

گروه برق، دانشگاه آزاد اسلامی واحد بوشهر، بوشهر، ایران

چکیده

در این مقاله، یک مبدل آنالوگ به دیجیتال تقریب متوالی تمام تفاضلی با استفاده از الگوریتم جستجوی غیر دودویی تعمیم یافته با دقت 10 بیت و 11 گام مقایسه و نرخ نمونه‌برداری 4.17MS/s ارائه شده است، که این مبدل را برای کاربردهای توان پایین مناسب می‌سازد چرا که این الگوریتم جستجو دیگر نیازی به کالیبراسیون ندارد. در الگورتیم جستجوی غیر دودویی همپوشانی‌هایی بین محدوده‌های جستجو وجود دارد که این امکان را فراهم می‌سازد که خطاهای تصمیم‌گیری بصورت دیجیتالی اصلاح گردد. در این کار به منظور بهبود رفتار خطی ساختار پیشنهادی، یک زیر مبدل دیجیتال به آنالوگ آرایه خازنی با وزن غیردودویی پیاده‌سازی شده است و نیز با انتخاب مناسب خازن‌های غیردودویی آرایه‌ی خازنی سبب افزایش فرکانس نمونه برداری نسبت به مبدل تقریب متوالی متعارف شده‌ایم. ساختار پیشنهادی بر اساس منطق سوییچ‌زنی یکنوا عمل می‌نماید. این روش سوییچ‌زنی، توان مصرفی DAC را به نسبت روش سوییچ زنی متعارف تا حد قابل توجهی کاهش می‌دهد. ساختار پیشنهادی در فن آوری 180nmCMOS طراحی شده است و نتایج شبیه سازی نشان می‌دهد که به ازای ولتاژ تغذیه‌ی1.8V نسبت سیگنال به نویز و اعوجاج (SNDR) 61.35 dB و توان مصرفی 78.14µW و رقم شایستگی (fj/Conver.step) 19.57 بدست می‎‌آید.

کلیدواژه‌ها

مبدل آنالوگ به دیجیتال؛ مبدل آنالوگ به دیجیتال تقریب متوالی کاملاً تفاضلی؛ الگوریتم جستجوی غیردودویی؛ کلیدزنی یکنوا؛ مبدل آنالوگ به دیجیتال تقریب متوالی توان پایین

مراجع

[1]‌ A. H. Chang, H. S. Lee, and D. Boning, “A 12b 50MS/s 2.1mW SAR ADC with Redundancy and Digital Background­ Calibration,” in proc. IEEE ESSCIRC, Sept. 2013, pp. 109-112.

[2]A. Arian, M. Saberi , S. Hosseini-Khayat, R. Lotfi, Y. Leblebici, “A 10-bit 50-MS/s Redundant SAR ADC with Split Capacitive-array DAC,” in Springer . Analog Integr CircSig Process, vol.71, pp. 586-589, June.2012.

[3] S. Haenzsche, S. Höppner, G. Ellguth, and R. Schüffny, “A 12-b 4 MS/s SAR ADC With Configurable Redundancy in 28-nm CMOS Technology,” IEEE Trans. Circuits Syst. II, vol. 61, no.11, pp. 835-839, Nov.2014.

[4] F. Kuttner, “A 1.2V 10b 20MSample/s Non-Binary Successive Approximation ADC in 0.13μm CMOS,” in proc.IEEE ISSCC Dig. Tech. Papers, Feb. 2002, pp. 176-177.

[5] D.Zhang, and A. Alvandpour,“Analysis and Calibration of Non-binary-Weighted Capacitive DAC for High-Resolution SAR ADCs,” IEEE Trans. Circuits &Syst. II ,vol.60, no. 9, pp. 666-670, Sep. 2014.

[6] D.Zhang, and A. Alvandpour, “A 12.5-ENOB 10-kS/s Redundant SAR ADC in 65-nm CMOS,” IEEE Trans. Circuits &  Syst. II ,vol.63 , no. 3, pp. 244-248, Mar. 2016.

[7] T. Ogawa, T. Matsuura , H. Kobayashi, N. Takai, M. Hotta, Hao San .et al, “ SAR ADC Algorithm with Redundancy and Digital Error Correction,” IEICE Trans. Fundamentals, vol.E93-A, no.2, pp.415- 423, Feb.2010.

[8]C. C. Liu, S. J. Chang, G. Y. Huang, Y. Z. Lin, C. M. Huang, C. H. Huang, L. Bu, and C.C Tsai, “A 10b 100MS/s 1.13 mW SAR ADC with binary-scaled error compensation,” in proc IEEE International Solid-State Circuits Conference Digest of Technical Papers (ISSCC), 2010, pp. 386–387.

[9]S. Jiang, M. A. Do, K. S. Yeo, and W. M. Lim, “An 8-bit 200-MSample/s pipelined ADC with mixed-mode frontend S/H circuit,”  IEEE Trans Circuits Syst I, vol. 55, no. 6, pp. 1430–1440, 2008.

[10] B.P. Ginsburg, and A.P. Chandrakasan ,“500-MS/s 5-bit ADC in  65-nm CMOS With Split Capacitor Array DAC,” IEEE J. Solid-State Circuits, vol.42, no. 4, pp. 739-747, Apr. 2007.

[11]Y. K. Chang, C. S. Wang, and C. K. Wang, “A 8-bit 500 KS/s low power SAR ADC for bio-medical application,” in proc IEEE ASSCC Dig. Tech, Nov. 2007, pp. 228–231.

[12] C.Cheng Liu, S.Jyh Chang ,G.Ying Huang ,Y.Zu Lin “A 10-bit 50-MS/s SAR ADC With a Monotonic Capacitor Switching Procedure,” IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 45, NO. 4,pp.731-740, APRIL 2010.

[13]A. M. Abo and Paul R. Gray, “A 1.5-V, 10-bit, 14.3-MS/s CMOS Pipeline Analog-to-Digital Converter,” IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 34, no. 5,pp.599-606, May. 1999.

[14]A.R.Ghasemi ,M.Saberi , R.Lotfi , “A low-power capacitor switching scheme with low common-mode voltage variation for successive approximation ADC,” in Microelectronics Journal, vol.61,pp.15-20, Mar. 2017.

[15]D. Draxelmayr, “A 6 b 600 MHz 10 mW ADC array in digital 90 nm CMOS,” in proc.IEEE ISSCC Dig. Tech. Papers, 2004, pp. 264–265.

[16] G. Y. Huang, S. J. Chang, C. C. Liu, and Y. Z. Lin, “A 1μW 10bit 200kS/s SAR ADC with a bypass window for biomedical applications,” IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 47, no. 11, pp. 2783– 2794, Nov. 2012.

[17] M. van Elzakker, E. van Tuijl, P. Geraedts, D. Schinkel, E. A. M. Klumperink and B. Nauta, "A 10-bit Charge-Redistribution ADC Consuming 1.9uW at 1 MS/s," IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol. 45, no. 5, pp. 1007-1015,May.2010.

[18] S. Liu, Y. Shen, and Zh. Zhu, “A 12-Bit 10 MS/s SAR ADC With High Linearity and Energy-Efficient Switching, ”  IEEE Trans. Circuits & Syst.I, vol. 63, no.10, pp. 1616-1627, Oct.2016.