ضرب کننده آنالوگ چهار ربعی با پاسخ فرکانسی بالا

مهندسی مخابرات جنوب

مقاله 5، دوره 8، شماره 31، اردیبهشت 1398

نوع مقاله: مقاله پژوهشی

نویسندگان

حمید باشی؛ سیدهادی موسوی؛ ابوالفضل امیری

دانشگاه آزاد اسلامی، دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه آزاد بوشهر

چکیده

ترانزیستور نانولوله کربنی اثر میدانی ( CNFET ) یک فن آوری امیدوار کننده و جدید است که به محدودیتهای سنتی تکنولوژی سیلیکون مدار مجتمعغلبه می کند.  در سال های اخیر، از پتانسیل CNFET برای کاربرد در مدار آنالوگ  استفاده شده است. در این مقاله یک ضرب کننده چهار ربعی آنالوگبا استفاده از CNFETs. طراحی شده است. شبیه سازی را بر اساس تکنولوژی CNFET 32nm نشان می دهد کهضرب کنندهدارای اعوجاج هارمونیک بسیار کم ( کمتر از 0.45٪ ) ، محدوده ورودی بزرگ (mv400± ) ، پهنای باند بزرگ(~GHz 50 ) وتوان مصرفی پایین (~μW 247 )، در حالی که در ولتاژ تغذیه0.9±ولت است.

کلیدواژه‌ها

ترانزیستور نانولوله کربنی اثر میدانی؛ تکنولوژی سیلیکون؛ ضرب کننده چهار ربعی آنالوگ