طراحی وشبیه سازی تقویت کننده کم نویز (LNA) کاملاً مجتمع کم‌توان با تکنولوژی0.18 µm CMOS در فرکانس‌های 9/1 و 9/0 گیگا هرتز

مهندسی مخابرات جنوب

دوره 8، شماره 30، بهمن 1397

نویسندگان

ابراهیم عبیری جهرمی^{* 1}؛ رضیه سلطانی سروستانی²

¹دانشگاه صنعتی شیراز

²دانشگاه آزاد اسلامی واحد بوشهر ، بوشهر، ایران

چکیده

دو پارامتر مهم که در طراحی تقویت کننده کم نویز( LNA) باید به آن توجه کرد توان مصرفی پائین و عدد نویز کم می‌باشد. از مشکلات دیگر طراحی می‌توان به چگونگی ایجاد مقاومت 50 اهم پایدار در ورودی برای تطبیق امپدانس و هم زمان بالا بردن بهره نام برد. همچنین نحوه خطی سازی در محدوده وسیعی از فرکانس کاری، از مسائل مهمی است که باید به آن توجه کرد.  با استفاده از ساختار دژنراسیون سلفی در پروسه 0.18 µm CMOS  خواسته های مورد نظر تأمین می­شود. مدار پیشنهادی در این مقاله، عدد نویز کمتر از 2.5db و توان مصرفی کمتر از 4mw را در فرکانس 9/1 و عدد نویز کمتر از 0.7db و توان مصرفی کمتر از 0.9mw را در فرکانس 9/0 گیگاهرتز، تطبیق امپدانس ورودی و خروجی 50 اهم و خطی­سازی مناسب در هر دو فرکانس را نتیجه می­دهد.

کلیدواژه‌ها

دژنراسیون سلفی؛ عدد نویز؛ نقطه برخورد مرتبه سوم (IIP3)