طراحی و ساخت ساختار فلز- اکسید- نیمه هادی به روش لایه نشانی الکتروشیمیایی

مهندسی مخابرات جنوب

دوره 8، شماره 30، بهمن 1397

نوع مقاله: مقاله پژوهشی

نویسنده

عاطفه چاهکوتاهی^*

باشگاه پژوهشگران جوان دانشگاه آزاد اسلامی واحد بوشهر

چکیده

تولید پیوند فلز- عایق- نیمه هادی MOS  به روش فلزنشانی الکتروشیمیایی گزارش گردیده است. برای انجام کار ابتدا مفتولی از جنس نیکل- کروم  را در محیط های الکترولیت مناسب قرار داده و با اعمال ولتاژ، بترتیب لایه های نازک آلومینیوم و فلز روی بر سطح آن نشانده شد . در مرحله بعد لایه های حاصل در دمای 400 درجه سانتیگراد در معرض هوا اکسید گردید تا لایه های اکسید آلومینیوم به عنوان عایق و اکسید روی به عنوان نیمه هادی تشکیل گردد. با بررسی منحنی آرنیوس ضمن تأیید نیمه هادی بودن لایه اکسید روی فاصله ترازهای انرژی ناخالصی  از تراز هدایت آن 18/0 ولت به دست آمد. همچنین با بررسی منحنی C-V در خازن MOS حاصله، ضمن تأیید تشکیل پیوند فلز- عایق- نیمه هادی، ولتاژ آستانه آن حدود 75/2 ولت بدست آمد. این فعالیت خصوصاً نشاندن لایه هایی از مواد مختلف به عنوان روش نو قابل عرضه است.

کلیدواژه‌ها

پیوند MOS؛ لایه نشانی؛ الکتروشیمیایی؛ نیمه هادی