تعداد نشریات | 418 |
تعداد شمارهها | 10,005 |
تعداد مقالات | 83,629 |
تعداد مشاهده مقاله | 78,550,014 |
تعداد دریافت فایل اصل مقاله | 55,683,868 |
ارتباط نوری با تراشه های فوتونیک سیلیکونی پسیو | ||
مهندسی مخابرات جنوب | ||
دوره 8، شماره 30، بهمن 1397 | ||
نوع مقاله: مقاله پژوهشی | ||
نویسندگان | ||
محمد امیر قاسمی شبانکاره1؛ سارا رحیمی جوانمردی2 | ||
1دانشگاه پاسارگاد شیراز، دانشجوی کارشناسی مخابرات، شیراز | ||
2دانشگاه علمی کاربردی صنایع مخابراتی راه دور ایران،شیراز | ||
چکیده | ||
گزارش ها در مورد ارتباط نزدیک نوری با کیفیت عالی 10 gb/s با استفاده از آینه های بازتابی و ایزولاتور از جنس سیلیکون با تلفات کم برای ارتباط بین تراشه ای می باشد. ساخت این قطعه با روشی برای کاشت یک موجبر میلهای با پهنای8µm با یک آینه یسیار انجام گرفته است که این آینه با سطح مورد نظر زاویه 54 درجه می سازد.نور در موجبر تراشهی پایینی می تواند با موجبر در تراشه بالایی جفت شود که این روش با روبروی یکدیگر قرار دادن این تراشهها انجام می گیردکه در این حالت آینههای بازتابی یک جفت کامل و یک مجاورت و نزدیکی نوری را به وجود می آورند. اندازههای ارتباطی بسیار سریع با تراشه هایی که در امتداد یک قطعه در ابعاد نانومتر قرار گرفتاند محقق شده و نتایج آن با یک روش که در آن تراشههای سیلیکونی به صورت یک بسته درآمدهاند مقایسه شده است. روش جدید ما در ساخت هسته هایی از جنس تراشهها بر اساس ترکیب کاشت هرمی روی سیلیکون می باشد که در آن از یک کرهی بسیار کوچک برای تنظیم دقیق تراشه استفاده می شود. یکپارجه کردن تراشهها می تواند باعث تنظیم خود به خود بستهها با استفاده از محل قرار گرفتن تراشهها باشد که در ابتدا کمی ضخیم هستند. تنظیم نهایی تراشه ها در روش جدید ما با رزولوشن لیتوگرافی نوری محدود می شود.علاوه بر این آرایه های چند تراشهای می توانند با یکدیگر در یک امتداد قرار بگیرند که دقت مشابهی با حالت قبلی خواهند داشت. داده های غیر قابل بازگشت به صفر(Nonreturn – to-zero data) به موجبرها ارسال شدند و در طول یک بسته که شامل 3 ترا شهی به هم متصل شده و دو قطعه نوری می باشد منتقل شدند . این کار برای ارتباطات بین تراشهای انجام گرفت. مقادیری چون تلفات پیوستهی نوری ،دیاگرامهای چشمی ،نرخ خطایبیت و خطای توان اندازه گیری شدند یک کانال نوری که بین دو تراشه به صورت پسیو تنظیم شده استبرای داشتن تلفاتِ 4dB اندازه گیری شده استکه مقدار آن1dBاز حالتی که از تراشه هایی با موقعیت مکانی در ابعاد نانو بهره می برند بیشتر است. اختلال یا اعوجاج RMS و مقادیر کمی دامنه برای کیفیت چشمی تقریباً با حالتی که کانالهای OP×C با کانال های10 Gb/sمتصل می شود،برابر است. این مکانیزم برای تنظیم خود به خود تراشه ها این امکان را برای تراشه ها فراهم می کندکه از ارتباطات نزدیک در چند کلاس مختلف بهره ببرند.. | ||
کلیدواژهها | ||
جفت شدن قطعات؛ ساخت یک هستهای تراشه ای؛ ایزولاتور سیلیکونیsoi؛ فتونیک سیلیکونی؛ جفتگر موجبر | ||
آمار تعداد مشاهده مقاله: 133 |