اخبار و اعلانات

 آمار

تعداد نشریات418
تعداد شماره‌ها9,997
تعداد مقالات83,560
تعداد مشاهده مقاله77,801,203
تعداد دریافت فایل اصل مقاله54,843,861
چراغی شیرازی, نجمه, عبیری جهرمی, ابراهیم, حمزه ئیان, روزبه. (1396). بررسی عملکرد خازن ورکتور و سلف فعال در مدار تشدید VCO های مجتمع با تکنولوژی 0.18µmCMOS. نشریه علمی پژوهشی دانشگاه آزاد اسلامی, 7(26), -.
نجمه چراغی شیرازی; ابراهیم عبیری جهرمی; روزبه حمزه ئیان. "بررسی عملکرد خازن ورکتور و سلف فعال در مدار تشدید VCO های مجتمع با تکنولوژی 0.18µmCMOS". نشریه علمی پژوهشی دانشگاه آزاد اسلامی, 7, 26, 1396, -.
چراغی شیرازی, نجمه, عبیری جهرمی, ابراهیم, حمزه ئیان, روزبه. (1396). 'بررسی عملکرد خازن ورکتور و سلف فعال در مدار تشدید VCO های مجتمع با تکنولوژی 0.18µmCMOS', نشریه علمی پژوهشی دانشگاه آزاد اسلامی, 7(26), pp. -.
چراغی شیرازی, نجمه, عبیری جهرمی, ابراهیم, حمزه ئیان, روزبه. بررسی عملکرد خازن ورکتور و سلف فعال در مدار تشدید VCO های مجتمع با تکنولوژی 0.18µmCMOS. نشریه علمی پژوهشی دانشگاه آزاد اسلامی, 1396; 7(26): -.

بررسی عملکرد خازن ورکتور و سلف فعال در مدار تشدید VCO های مجتمع با تکنولوژی 0.18µmCMOS

مهندسی مخابرات جنوب
دوره 7، شماره 26، دی 1396
نوع مقاله: مقاله پژوهشی
نویسندگان
نجمه چراغی شیرازی* 1؛ ابراهیم عبیری جهرمی2؛ روزبه حمزه ئیان1
1گروه برق، واحد بوشهر، دانشگاه آزاد اسلامی، بوشهر، ایران
2دانشگاه صنعتی شیراز
چکیده
با استفاده از تکنولوژی 0.18µm ، ترانزیستورهای CMOS یک نمونه VCO طراحی شده است. در ساختار VCO پیشنهادی، از یک سلف فعال قابل تنظیم و یک ورکتور برای تانک LC استفاده شده است. تنظیم فرکانس گسترده در این مدار توسط سلف فعال قابل تنظیم و تنظیمات ریز با واراکتور کنترل می­گردد. VCO با ورکتور MOS  در حالت انبارش دارای کمترین مصرف توان و پایین­ترین نویز فاز در فرکانس­های آفست بزرگ می­باشد. مزایای اعمال شده توسط ورکتورهای MOS زمانی­که تکنولوژی­های CMOS پیشرفته­تری انتخاب شوند بخوبی افزایش می­یابد.  به­دلیل عدم وجود عناصر غیر فعال، VCO کاملاً مجتمع سطح تراشه­ای کم­تری را در مدار  اشغال می­کند. 
 
کلیدواژه‌ها
ورکتور؛ سلف فعال؛ محدوده تنظیم فرکانس؛ وارونگی؛ نوسانگر کنترل شده با ولتاژ
مراجع
آمار
تعداد مشاهده مقاله: 126


سامانه مدیریت نشریات علمی. قدرت گرفته از سیناوب