اخبار و اعلانات

 آمار

تعداد نشریات418
تعداد شماره‌ها9,997
تعداد مقالات83,560
تعداد مشاهده مقاله77,800,509
تعداد دریافت فایل اصل مقاله54,843,313
Pankratov, Evgeny L.. (1399). On Increasing of Integration Rate of Elements of a Current Source Circuit. نشریه علمی پژوهشی دانشگاه آزاد اسلامی, 11(1 (WINTER)), 73-95. doi: 10.30495/ijm2c.2021.684820
Evgeny L. Pankratov. "On Increasing of Integration Rate of Elements of a Current Source Circuit". نشریه علمی پژوهشی دانشگاه آزاد اسلامی, 11, 1 (WINTER), 1399, 73-95. doi: 10.30495/ijm2c.2021.684820
Pankratov, Evgeny L.. (1399). 'On Increasing of Integration Rate of Elements of a Current Source Circuit', نشریه علمی پژوهشی دانشگاه آزاد اسلامی, 11(1 (WINTER)), pp. 73-95. doi: 10.30495/ijm2c.2021.684820
Pankratov, Evgeny L.. On Increasing of Integration Rate of Elements of a Current Source Circuit. نشریه علمی پژوهشی دانشگاه آزاد اسلامی, 1399; 11(1 (WINTER)): 73-95. doi: 10.30495/ijm2c.2021.684820

On Increasing of Integration Rate of Elements of a Current Source Circuit

International Journal of Mathematical Modelling & Computations
مقاله 6، دوره 11، 1 (WINTER) - شماره پیاپی 41، خرداد 2021، صفحه 73-95    اصل مقاله (596.7 K)
نوع مقاله: Full Length Article
شناسه دیجیتال (DOI): 10.30495/ijm2c.2021.684820
نویسنده
Evgeny L. Pankratov*
Nizhny Novgorod State University, 23 Gagarin Avenue, Nizhny Novgorod, 603950, Russia
چکیده
In this paper we introduce an approach to increase integration rate of elements of a current source circuit. Framework the approach we consider a hetero-structure with special configuration. Several specific areas of the heterostructure should be doped by diffusion or ion implantation. Annealing of dopant and/or radiation defects should be optimized.
کلیدواژه‌ها
Current source circuit؛ Optimization of manufacturing؛ Analytical approach for modelling
آمار
تعداد مشاهده مقاله: 261
تعداد دریافت فایل اصل مقاله: 86


سامانه مدیریت نشریات علمی. قدرت گرفته از سیناوب