| تعداد نشریات | 418 |
| تعداد شمارهها | 10,013 |
| تعداد مقالات | 83,708 |
| تعداد مشاهده مقاله | 79,629,286 |
| تعداد دریافت فایل اصل مقاله | 56,301,136 |
A Ultra Wideband (5–50 GHz) and Low Power Active Balun Using 0.18 µm CMOS technology | ||
| Majlesi Journal of Telecommunication Devices | ||
| مقاله 5، دوره 2، شماره 4، فروردین 2013 اصل مقاله (165.27 K) | ||
| نوع مقاله: Articles | ||
| چکیده | ||
| A new ultra wideband 5 to 50 GHz and low power single ended input, differential output active balun using 0.18µm CMOS technology is presented in this paper. Using a pair of common-source and common gate NMOS transistors with utilize active load PMOS transistors. Total power consumption of the proposed active balun circuit is 5mw at the supply voltages of ±1.2v much less than 11.5mw of the conventional active balun. | ||
| کلیدواژهها | ||
| en | ||
|
آمار تعداد مشاهده مقاله: 9 تعداد دریافت فایل اصل مقاله: 95 |
||