تعداد نشریات | 418 |
تعداد شمارهها | 10,005 |
تعداد مقالات | 83,624 |
تعداد مشاهده مقاله | 78,435,444 |
تعداد دریافت فایل اصل مقاله | 55,456,016 |
SOI DEVICE SIMULATION OF AN AREA EFFICIENT BODY CONTACT | ||
Majlesi Journal of Electrical Engineering | ||
مقاله 8، دوره 1، شماره 1، شهریور 2007، صفحه 63-66 اصل مقاله (217.7 K) | ||
نوع مقاله: Review Article | ||
شناسه دیجیتال (DOI): 10.1234/mjee.v1i1.52 | ||
چکیده | ||
We have used three-dimensional simulation to investigate application of a new body contact to SOI devices. Performance characteristics of the new body contact on high-voltage SOI devices were studied. Our comparative investigation showed increased current drive, improved cutoff frequency, reduced on-resistance while attaining satisfactory breakdown voltage. The new body contact is applicable to both high and low voltage SOI MOSFETs. | ||
کلیدواژهها | ||
en | ||
آمار تعداد مشاهده مقاله: 12 تعداد دریافت فایل اصل مقاله: 41 |