بررسی اثر ناخالصی لانتانیم اکسید بر ویژگی حسگری نانو ساختار گل مانند روی اکسید

پژوهش های کاربردی در شیمی

مقاله 6، دوره 10، شماره 1، خرداد 1395، صفحه 53-58   

نوع مقاله: پژوهشی

نویسندگان

نغمه فعال همدانی^{* 1}؛ علیرضا محجوب²؛ عباسعلی خدادادی³؛ اکرم حسینیان⁴

¹استادیار شیمی معدنی، دانشکده ولیعصر (عج)، دانشگاه فنی و حرفه‌ای، تهران، ایران

²استاد شیمی معدنی، دانشکده علوم پایه، دانشگاه تربیت مدرس، تهران، ایران

³استاد مهندسی شیمی، پردیس فنی، دانشگاه تهران، تهران، ایران

⁴استادیار شیمی معدنی، پردیس فنی، دانشگاه تهران، تهران، ایران

چکیده

در این کار پژوهشی، روی اکسید گل مانند با روش تابش دهی امواج ریزموج، با استفاده از پیش ماده روی استات و آب به عنوان حلال تهیه شد. نمونه با استفاده از تصویرهای میکروسکوپ الکترونی و تجزیه عنصری EDX و پراش پرتو ایکس مورد شناسایی قرار گرفت. سپس حسگر به دست آمده با درصدهای متفاوت از دوپه ناخالصی، برای بررسی انتخابی گری نسبت به اتانول با غلظت ppm 500 در معرض گازهای متان، کربن مونو اکسید و اتانول قرار گرفت.
نمونه حاوی 5% ناخالصی انتخابی گری بالایی نسبت به اتانول در حضور گازهای متان و کربن مونو اکسید از خود نشان داد. هم چنین، وجود ناخالصی لانتانیم اکسید بر زمان پاسخ و بازیابی تأثیر داشته و می‌تواند برای تهیه حسگرهای گازی با انتخابی گری نسبت به اتانول مورد استفاده قرار گیرد.

کلیدواژه‌ها

روی اکسید؛ نانو ساختار؛ ریخت گل مانند؛ حسگر گاز؛ لانتانیم اکسید

مراجع

[1] Zeng, Y.;Zhang, T.;Qiao, L.;Mater. Lett. 63, 843–846, 2009.
[2] Kohl,D.;J.phys. D. 34, 125–149, 2001.
[3] Tschulena, G.R.; Lahrmann, A.; Sensors in Household Applications in Sensors Application, 5. Wiley-VCH, Weinheim, 2003.
[4] Choi, U.S.; Sakai, G.; Shimanoe, K.; Yamazoe, N.; Sens. Actuators B. 98, 166–173, 2004.
[5] Wang, C.; Yin, L.; Zhang, L.; Xiang, D.;Gao, R.;Sensors. 10, 2088–2106, 2010.
[6] Hamedani,N. F.; Farzaneh, F.;J.Polish. Chem. 17, 231–234, 2006.
[7] Wagner, T.; Waitz, T.; Roggenbuck, J.; Froba, M.; Kohl, C. D.; Tiemann, M.; Tiemann, M.;Thin Solid Films. 515, 8360–8363, 2007.
[8] Hongsith, N.; Viriyaworasakul, C.; Mangkorntong, P.; Mangkorntong, N.; Choopun, S.;Ceramics International. 34, 823–826, 2008.
[9] Hamedani, N.F.; Mahjoub, A.R.; Khodadadi, A. A.; Mortazavi, Y.; Sens. Actuators B. 156, 737–742, 2011.
[10] Hamedani, N.F.; Mahjoub, A.R.; Khodadadi, A. A.; Mortazavi, Y.;DOI 10.5162/IMCS2012/P2.7.15
[11] Cao, Y.; Pan, W.; Zong, Y.; Jia, D.; Sens. Actuators B. 138, 480–484, 2009.
[12] Wang, C.M.; Wang, J.F.; Chen, H.C.; Su, W.B.; Zang, G.Z.; Qi, P.; Ming, B.Q.; Solid State Commun.132, 163–167, 2004.
[13] Qi, Q.; Zhang, T.; Zheng, X.; Fan, H.; Liu, L.; Wang, R.; Zeng, Y.; Sens. Actuators B. 134, 36–42, 2008.