تاثیر آلاینده سرب بر خواص نوری لایه‌های اکسید ایندیم لایه‌نشانی شده به روش انباشت الکتروشیمیایی

نانومواد

مقاله 2، دوره 9، شماره 31، آذر 1396، صفحه 181-187   

نوع مقاله: مقاله پژوهشی

نویسندگان

اصغر شکوه‌منش¹؛ فرید جمالی شینی^{* 2}؛ محسن چراغی‌زاده³؛ رامین یوسفی⁴

¹گروه مهندسی مواد، واحد اهواز، دانشگاه آزاد اسلامی، اهواز، ایران

²مرکز تحقیقات مهندسی سطح پیشرفته و نانومواد، گروه فیزیک، واحد اهواز، دانشگاه آزاد اسلامی، اهواز، ایران

³باشگاه پژوهشگران جوان و نخبگان، واحد اهواز، دانشگاه آزاد اسلامی، اهواز، ایران

⁴گروه فیزیک، واحد مسجد سلیمان، دانشگاه آزاد اسلامی، مسجد سلیمان، ایران

چکیده

لایه‌های نانوساختار اکسید ایندیم (In₂O₃) خالص و آلاییده با مقادیر مختلف از سرب، به روش انباشت الکتروشیمیایی لایه‌نشانی شدند. نتایج حاصل از آنالیز الگوی پراش، وجود فاز اکسید ایندیم را در دو فاز بلوری مکعبی و رومبوهدرال تایید کردند. تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی نشان می‌دهند که مواد رشد داده دارای ابعاد نانومتری بوده و اندازه آنها در محدوده nm 81-45 می‌باشد. طیف نور تابناکی نیز باندهای گسیلی در محدوده طیف مرئی را نشان می‌دهد. طیف جذبی نانوساختارها وجود لبه جذب را در ناحیه فرابنفش نشان داد که با افزودن ناخالصی سرب یک کاهش در شدت جذب مشاهده شد. همچنین انرژی شکاف باند نوری مواد بدست آمده هنگام آلایش با سرب یک کاهش را نشان داد.

کلیدواژه‌ها

نانوساختارهای اکسید ایندیم؛ انباشت الکتروشیمیایی؛ ناخالصی سرب؛ خواص نوری

مراجع