تعداد نشریات | 418 |
تعداد شمارهها | 10,005 |
تعداد مقالات | 83,621 |
تعداد مشاهده مقاله | 78,331,259 |
تعداد دریافت فایل اصل مقاله | 55,377,614 |
مطالعهی محاسباتی جذب مولکولهای HCN، CO و ClCN در نانو لولهی SiC دارای ناخالصی B به روش DFT | ||
کاربرد شیمی در محیط زیست | ||
مقاله 4، دوره 8، شماره 30، تیر 1396، صفحه 21-25 اصل مقاله (542.01 K) | ||
نوع مقاله: مقاله پژوهشی | ||
چکیده | ||
در این تحقیق با بهرهگیری از نظریه تابع چگالی (DFT)، روش B3LYP و سری پایه G* 6-31 اثر جذب مولکولهای CO, ClCN, HCN را روی نانولولههای تک دیواره آرمچیر (4 و 4) SiC دوپه شده با اتم B مورد بررسی قرار گرفته است. با توجه به روند تغییرات در فاصله بین اوربیتالهای HOMO و LUMO مدلهای مورد مطالعه میتوان نتیجه گرفت که بیشترین رسانایی الکتریکی در مدل B dope C ClCN-Attached و کمترین رسانایی در مدل خالص دیده میشود. نتایج جدول جذب سطحی نشان میدهد که بیشترین میزان جذب سطحی در مدل B dope Si ClCN-Attached و کمترین میزان جذب سطحی در مدل B dope Si HCN-Attached دیده میشود. با توجه به نتایج این پژوهش میتوان نتیجه گرفت که مطلوبترین گزینه مورد مطالعه مولکول ClCN میباشد. | ||
کلیدواژهها | ||
نانولوله SiC؛ روش تابعی چگالی؛ جذب سطحی | ||
مراجع | ||
| ||
آمار تعداد مشاهده مقاله: 108 تعداد دریافت فایل اصل مقاله: 94 |