طراحی تقویت کننده اپتیکال با افزایش پهنای باند رنج دینامیکی برای کاربردهای گیرنده مخابرات نوری

مهندسی مخابرات جنوب

دوره 10، شماره 40، تیر 1400، صفحه 17-24   

نوع مقاله: مقاله پژوهشی

نویسندگان

رضا کازرانی¹؛ نجمه چراغی شیرازی^{* 2}؛ دکتر عبدالرسول قاسمی³

¹گروه برق،دانشگاه آزاد اسلامی واحد بوشهر،بوشهر،ایران

²گروه برق، واحد بوشهر، دانشگاه آزاد اسلامی، بوشهر، ایران

³دانشگاه آزاد اسلامی واحد بوشهر

چکیده

امروزه با گسترش شبکه های مخابراتی و افزایش سرعت انتقال اطلاعات،استفاده از سیستم های مخابرات نوری افرایش چشم گیری داشته است. با توجه به مزایای استفاده از فیبر نوری شامل انتقال اطلاعات با سرعت و حجم بالاتر و تضعیف کمتر استفاده از فیبر نوری گسترش فراوانی یافته است. قسمت اصلی یک سیستم مخابراتی شامل فرستنده،محیط انتقال و گیرنده می باشد. گیرنده دارای نقص هایی از جمله تضعیف می باشد و به همین جهت طراحی قسمت گیرنده دارای چالش می باشد ویک مصالحه بین پهنای باند،بهره و توان وجود دارد. در این مقاله یک تقویت کننده اپتیکال با افزایش پهنای باند بااستفاده از تکنیک بالازدگی القایی جهت استفاده در یک سیستم مخابرات نوری برای کاربردهای با نرخ داده 10Gb/s با استفاده از تکنولوژی 180 nm CMOS مورد طراحی و شبیه سازی قرار گرفته است. نتایج شبیه سازیهای ارائه شده بیان کننده آن است که مدار ارائه شده با تغذیه 1.8V ، توان مصرفی57.6 mW ، پهنای باند 7.5GHz و بهره 25dB را دارا می باشد.

کلیدواژه‌ها

تقویت کننده اپتیکال؛ تقویت کننده امپدانس انتقالی؛ تقویت کننده محدود ساز؛ بالازدگی القایی

مراجع

[1]   B. Razavi, Design of integrated circuits for optical communications. Hoboken, NJ: Wiley, 2012.

[2]  S. Salhi, H. Escid,A. Slimane,“ Design of High Speed Transimpedance Amplifier for Optical        Communication Systems,” in proc. Seminar on Detection Systems Architectures and Technologies, Feb.  2017,pp. 1-4.

[3]   A. M. Zadeh Khaki, and et al,“ An ultra-low-power TIA plus Limiting Amplifier in 90nm CMOS technology for 2.5 Gb/s optical receiver,” in proc. 24th Iranian Conference on Electrical Engineering (ICEE), 2016, pp.224-227.

[4]   L. Szilagyi, and et al,“ Optical Receiver Amplifier with Adaptive Power and Bandwidth for up to 30 Gbit/s in 28 nm CMOS,” in proc. Proceedings of the 11th European Microwave Integrated Circuits Conference, Oct. 2016, pp.110-113.

[5]  D. Schoeniger, R. Henker, F. Ellinger,“ High-speed transimpedance amplifier with runtime adaptive bandwidth and power consumption in 0.13 μm SiGe BiCMOS,” in IET El. Letters, vol. 52, no. 2, pp. 154-156, 2016.

[6]  T. Takemoto, H. Yamashita, T. Yazaki, N. Chujo, L. Yong, Y. Matsuoka,“ A 25-to-28 Gb/s High-Sensitivity (-9.7 dBm) 65 nm CMOS Optical Receiver for Board-to-Board Interconnects ,” in IEEE JSSC, vol. 49, no. 10, pp. 2259-2276, 2014.

[7]   I. Kwon, T. Kang, B. T. Wells, L. J. D'Aries, M. D. Hammig, “ A High Gain 1.75 GHz Dual Inductor Transimpedance Amplifier with Gate Noise Suppression for Fast Radiation Detection,”, IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs, vol. 63, no. 4, pp. 356-360, April. 2016.

[8]  Y. Jiao, and et al, “ A 70 dBΩ 2.3 GHz low noise Transimpedance Amplifier,” in proc. European Conference on Circuit Theory and Design (ECCTD), 2013, pp.71-74.

[9]  S. Bashiri, and et al,“ A 40 Gb/s Transimpedance Amplifier in 65 nm CMOS,” in proc. Proceedings of IEEE International Symposium on Circuits and Systems, June. 2010, pp.174-177.

[10] A. K.-Bidhendi and et al,“ A Silicon-Based Low-Power Broadband Transimpedance Amplifier,” IEEE Transactions on CIrcuits and Systems–I: Regular papers, vol. 65, no. 2, Feb. 2018

[11] A.S. Bhuiyan and et al,“ Shunt-feedback Transimpedance Amplifier in 0.18μm CMOS Technology,” 2nd International Symposium on Instrumentation and Measurement, Sensor Network and Automation (IMSNA), Dec. 2013, pp. 64-67.