تعداد نشریات | 418 |
تعداد شمارهها | 9,986 |
تعداد مقالات | 83,489 |
تعداد مشاهده مقاله | 76,704,471 |
تعداد دریافت فایل اصل مقاله | 53,800,449 |
طراحی یک مدولاتور سیگما-دلتای تک-حلقه جدید و کم-توان با هدف کاهش تعداد تقویت کننده در فیلتر حلقه برای کاربردهای بازشناسی گفتار | ||
روشهای هوشمند در صنعت برق | ||
مقاله 7، دوره 15، شماره 57، خرداد 1403، صفحه 99-120 اصل مقاله (1.36 M) | ||
نوع مقاله: مقاله پژوهشی | ||
نویسندگان | ||
سحر دولابی؛ مهدی تقی زاده* ؛ محمدحسین فاتحی؛ جاسم جمالی | ||
دانشکده برق و کامپیوتر- واحد کازرون، دانشگاه آزاد اسلامی، کازرون، ایران | ||
چکیده | ||
در این مقاله یک ساختار عمومی جدید برای مدولاتور سیگما-دلتای تک حلقه با ترکیب دو روش اعوجاج-پایین و نویز تزویج شده برای کاربردهای کم-توان با دقت بالا ارائه شده است. روش اعوجاج-پایین در ساختار ارائه شده، باعث میشود تا تابع تبدیل سیگنال آن برابر یک شود. از طرفی روش نویز تزویج شده باعث افزایش مرتبه شکلدهی نویز کوانتیزاسیون در خروجی مدولاتور میشود. هدف از به کارگیری این روشها در طراحی ساختار، افزایش مرتبه مدولاتور در ازای عدم نیاز به تقویتکنندههای عملیاتی اضافه در زمان پیاده سازی مداری آن است تا در نهایت یک مدولاتور کم توان و کم حجم نسبت به ساختارهای مشابه، حاصل گردد. برای کاهش تقویتکننده های مورد نیاز، از فیلتر با پاسخ ضربه نامحدود (IIR) مرتبه دوم به جای انتگرالگیر در حلقه مدولاتور، استفاده گردید. برای بررسی عملکرد ساختار پیشنهادی، پیاده سازی و شبیه سازی آن برای کاربردهای بازشناسی گفتار (بهطور نمونه برای سمعک های دیجیتال) در فناوری ساخت 180 نانومتر CMOS (نیم رسانای اکلسید فلز مکمل) انجام گردید. برای یک ساختار مرتبه 3 با نرخ بیشنمونه برداری 64 و سیگنال سینوسی ورودی 6- دسیبل تمام-مقیاس و فرکانس نمونه برداری 56/2 مگاهرتز، مقدار سیگنال به نویز و اعوجاج (SNDR) برابر 9/81 دسیبل و محدوده پویایی (DR) برابر 88 دسیبل بهدست آمده است. مقدار توان مصرفی مدولاتور برابر 9/126 میکرووات و پهنای باند آن 20 کیلوهرتز است. نتایج شبیهسازی مداری و سیستمی مدولاتور، درستی عملکرد آن را نشان میدهد. | ||
تازه های تحقیق | ||
- طراحی یک ساختار جدید برای مدولاتور سیگما دلتای تک-حلقه با رویکرد کم-توان بودن و دقت بالا مدنظر بوده است. - ترکیب تکنیکهای اعوجاج-پایین و نویز تزویج شده باعث شده تا ساختار مذکور، مرتبه بیشتری نسبت به ساختارهای مشابه داشته باشد. - تحقق ساختار در سطح سیستمی طوری انجام گرفت که نسبت به تحقق ساختارهای مبتنی بر انتگرالگیر، بتوان با تقویتکننده کمتری آنرا پیادهسازی کرد. - ساختار مدولاتور سیگما-دلتای پیشنهادی با هر نوع تابع تبدیل نویزی قابلیت تحقق دارد که مزیت مهمی محسوب می شود. | ||
کلیدواژهها | ||
روش اعوجاج-پایین؛ فیلتر با پاسخ ضربه نامحدود؛ مدولاتور سیگما دلتا؛ نویز تزویج شده | ||
مراجع | ||
[1] K. Nam, S. Lee, D. Su, A. Wooley, “A low-voltage low-power sigma-delta modulator for broadband analog-to-digital conversion”, IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol. 40, no. 9, pp. 1855-1864, Sep 2005 (doi: 10.1109/JSSC.2005.852161). [2] S. Alizadeh Zanjani, A. Jannesari, P. Torkzadeh, “Design and simulation of ultra-low-power sigma-delta converter using the fully differential inverter-based amplifier for digital hearing aids application”, Journal of Intelligent Procedures in Electrical Technology, vol. 13, no. 51, pp. 75-90, Dec 2022 (in Persian) (dor: 20.1001.1.23223871.1401.13.51.5.8). [3] M. Taghizadeh, S. Sadughi, “Improved unity-STF sturdy MASH ΣΔ modulator for low-power wideband applications”, Electronics Letters, vol. 51, no. 23, pp. 1941-1942, Oct. 2015 (doi: 10.1049/el.2015.1976). [4] J.A. Torreño, S. Paton, L. Conesa-Peraleja, L. Hernandez, D. Straeussnigg, “A noise coupled ΣΔ architecture using a non uniform quantizer”, Proceeding of the IEEE/NORCAS, pp. 1-4, Oslo, Norway, Oct. 2015 (doi: 10.1109/NORCHIP.2015.7364400). [5] A.P. Perez, E. Bonizzoni, F. Maloberti, “A 84dB SNDR 100 kHz bandwidth low-power single op-Amp third-order ΔΣ modulator consuming 140μW”, Proceeding of the IEEE/ISSCC, pp. 478-480, San Francisco, USA, Feb 2011 (doi: 10.1109/ISSCC.2011.5746405). [6] V. Sharma, Y.B.N. Kumar, M.H. Vasantha, “36 μW fourth order sigma-delta modulator using single operational amplifier”, International Journal of Electronics Letters, vol. 9, no. 2, pp. 171-186, Jan. 2021 (doi: 10.1080/21681724.2020.1717003). [7] X. Meng, Y. Zhang, T. He and G.C. Temes, “Low-distortion wideband delta-sigma ADCs with shifted loop delays”, IEEE Trans. on Circuits and Systems, vol. 62, no. 2, pp. 376–384, Feb. 2015 (doi: 10.1109/TCSI.2014.2362972). [8] J.R. Custódio, J. Goes, N. Paulino, J.P. Oliveira, E. Bruun, “A 1.2-V 165μW 0.29-mm 2 multibit sigma-delta ADC for hearing aids using nonlinear DACs and with over 91 dB dynamic-range", IEEE Trans. on Biomed. Circuits and Systems, vol. 7, no. 3, pp. 376-385, June 2013 (doi: 10.1109/TBCAS.2012.22 038-19). [9] M.C. Huang, S.I. Liu, “A fully-differential comparator based switched-capacitor delta-sigma modulator”, IEEE Trans. on Circuits and Systems, vol. 56, no. 5, pp. 369-373, May 2009 (doi: 10.1109/TCSII.2009.2019166). [10] M. Zamani, M. Taghizadeh, M. Naser. Moghadasi, B.S. Virdee, “A 5th-order ΣΔ modulator with combination of op-amp and CBSC circuit for ADSL applications”, Analog Integrated Circuits and Signal Processing, vol. 62, no. 1, pp. 143–150, Sept. 2011 (doi: 10.1007/s10470-011-9763-x). [11] J. Silva, U. Moon, J. Steensgaard, G. Temes, “Wideband low distortion delta-sigma ADC topology”, Electronics Letters, vol. 37, no. 12, pp. 737–738, June 2001 (doi: 10.1049/el:20010542). [12] K. Lee, J. Chae, M. Aniya, K. Hamashita, K. Takasuka, S. Takeuchi, G.C. Temes, “A noise-coupled time-interleaved ΔΣ ADC with 4.2MHz BW, -98dB THD, and 79dB SNDR”, IEEE Solid-State Circuit Journal, vol. 43, no. 12, pp. 2601-2612, Dec. 2008 (doi:10.1109/JSSC.2008.2006311). [13] R. Schreier, G.C. Temes, “Understanding delta-sigma data converters”, Wiley/IEEE Press, 2005. 14] J. Markus, G.C. Temes, “An efficient ΔΣ ADC architecture for low oversampling ratios”, IEEE Trans. on Circuits and Systems, vol. 51, no. 1, pp. 63-71, Jan. 2004 (doi: 10.1109/TCSI.2003.821280). [15] P. Malcovati, S. Brigati, F. Francesconi, F. Maloberti, P. Cusinato, A. Baschirotto, “Behavioral modeling of switched-capacitor sigma-delta modulators”, IEEE Trans. on Circuits and Systems, vol. 50, no. 3, pp. 352-364, Mar 2003 (doi: 10.1109/TCSI.2003.808892). [16] S. Rabii, B. Wooley, “A 1.8V digital-audio sigma-delta Modulator in 0.8μm CMOS”, IEEE Journal of Solid-State Circuits, vol. 32, no. 6, pp. 783-796, June 1997 (doi: 10.1109/4.585245). [17] J. Ruı´z-Amaya, J.M. Rosa, F.V. Ferna´ndez, F. Medeiro, R. del Rı´o, B. Pe´rez-Verdu´, A. Rodrı´guez-Va´zquez, “High-level synthesis of switched-capacitor, switched-current and continuous-time ΣΔ modulators using SIMULINK-based time-domain behavioral models”, IEEE Trans. on Circuits and Systems, vol. 52, no. 9, pp. 1795–1810, Sept. 2005 (doi: 10.1109/TCSI.2005.852479). [18] M. Yavari, O. Shoaei, “Low-voltage low-power fast settling CMOS operational transconductance amplifiers for switched-capacitor applications”, IEEE Proceeding Circuits, Devices and Systems, vol. 151, no. 6, pp. 573-578, Dec. 2004 (doi: 10.1109/LPE.2003.1231910). [19] S.M.A. Zanjani, M. Parvizi, “Design and simulation of a bulk driven operational trans-conductance ampli-fier based on CNTFET technology”, Journal of Intelligent Procedures in Electrical Technology, vol. 12, no. 45, pp. 65-76, Spring 2021 (in Persian) (dor: 20.1001.1.23223871.1400.12.1.5.1). [20] N. Chamanpira, S.M.A. Zanjani, M. Dolatshahi, “Design and simulation of a new sample and hold circuit with a resulation of 12-bit and a sampling rate of 1 GS/s using a dual sampling technique”, Journal of Intelligent Procedures in Electrical Technology, vol. 9, no. 34, pp. 3-10, Aug. 2018 (in Persian) (dor: 20.1001.1.23223871.1397.9.34.1.2). [21] M. Taghizadeh, S. Sadughi, M. Sharifkhani, “Optimal design of low-power high-resolution unity-STF S-MASH sigma delta modulator for telecommunication applications”, Electronic and Cyber Defense, vol. 7, no. 2, pp. 13-24, Summer 2019 (in Persian). [22] A. K. Varma, M. Steer and P. D. Franzon, “Improving behavioral IO buffer modeling based on IBIS”, IEEE Transactions on Advanced Packaging, vol. 31, no. 4, pp. 711-721, Nov. 2008, (doi: 10.1109/TADVP.2008.2004995). [23] J.E. Park, Y.H. Hwang, D.K. Jeong, “A 0.4-to-1 V voltage scalable delta-sigma ADC with two-step hybrid integrator for IoT sensor applications in 65-nm LP CMOS”, IEEE Trans. on Circuits and Systems, vol. 64, no. 12, pp. 1417-1421, Dec 2017 (doi: 10.1109/TCSII.2017.2753841). | ||
آمار تعداد مشاهده مقاله: 243 تعداد دریافت فایل اصل مقاله: 201 |