تعداد نشریات | 418 |
تعداد شمارهها | 9,986 |
تعداد مقالات | 83,489 |
تعداد مشاهده مقاله | 76,684,688 |
تعداد دریافت فایل اصل مقاله | 53,784,308 |
خواص ساختاری و الکترونی تک لایه SiC2 در حضور گاز استالدهید: امکان سنجی کاربرد به عنوان حسگر گاز | ||
پژوهش های شیمیایی و نانو مواد | ||
دوره 1، شماره 4، اسفند 1401، صفحه 19-24 اصل مقاله (439.04 K) | ||
نوع مقاله: مقاله پژوهشی اصیل | ||
نویسندگان | ||
خلیل صیدالی جوانمردی؛ زهرا کرمی هرستانی* | ||
گروه مهندسی برق، واحد شیراز، دانشگاه آزاد اسلامی، شیراز، ایران | ||
چکیده | ||
در مقاله پیش رو، به بررسی تاثیر جذب مولکول استالدهید بر خواص ساختاری و الکترونی تک لایه SiC2 با استفاده از نظریه تابعی چگالی پرداخته شده است. به این منظور، پیکربندیهای مختلف جذب مولکول بر روی تک لایه مورد بررسی قرار گرفته و پایدارترین ساختار براساس انرژی جذب گزارش شده است. نتایج نشان داد که مولکول استالدهید به صورت فیزیکی با انرژی در حدود ۳۱۰/۰ الکترون ولت بررویSiC2 جذب میشود. مقایسه ساختار نواری و چگالی حالاتSiC2 قبل و بعد از جذب مولکول استالدهید نشان داد که گاف انرژی و فاصله تراز فرمی تا نوار هدایت پس از جذب استالدهید به ترتیب 0/008 و 0/006 الکترون ولت افزایش مییابد که می تواند موجب کاهش هدایت الکتریکی تک لایه گردد. بر اساس محاسبات انجام شده از تک لایهSiC2 می توان به عنوان حسگر گاز استالدهید براساس تغییر هدایت، تغییر گرمای واکنش یا به عنوان سطح جاذب در حسگرهای گاز پیزوالکتریک بهره برد. | ||
کلیدواژهها | ||
SiC2؛ استالدهید؛ نظریه تابعی چگالی | ||
مراجع | ||
| ||
آمار تعداد مشاهده مقاله: 48 تعداد دریافت فایل اصل مقاله: 23 |